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BSP32,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP32,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP32,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP320S E6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP320S E6433詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP320S L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BU-23-2
配件 Mueller Electric Co INSULATOR PVC RED 5"
B43858C9335M
電容器 EPCOS Inc 3.3UF 400V SINGLE END
741C083101JP
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 0804
B72214S2950K101
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤(pán) 14mm VARISTOR S14K95E2
BSP3-208/240
照明保護(hù) Thomas Research Products SURGE PROTECTOR-208/240V DRIVER
BU-23-4
配件 Mueller Electric Co INSULATOR PVC YELLOW 5"
B43501A107M7
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 420V
C0805C475K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 0805
B43858C9336M9
電容器 EPCOS Inc 33UF 400V SINGLE END
B72214S421K331
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤(pán) 14mm VARISTOR S14K420G3S3
BU-23-5
配件 Mueller Electric Co 圓盤(pán) 14mm INSULATOR FOR BU-21 SERIES GREEN
C0805C475K9PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 10% X5R 0805
B43501A1108M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 160V
741C083102JP
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 0804
B43858F2106M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 10UF 250V

BSP32 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料