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BSP317PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP317PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP317PE6327T詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP317PE6327T詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

CA06R20-7PK10F187
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4POS WALL MNT W/SKTS
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DC DC Converters Emerson Network Power 24-DIP 模塊（600 mil，10 引線） CONV DC/DC SNGL 12V OUT 3W FILTR
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C200H-AD002
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK PLC 8POS ANALOG INPUT

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