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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    BSP316 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    BSP316P L6327詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSP316P L6327詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    BSP316P L6327詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:Digi-Reel®

    BSP316PE6327詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSP316PE6327詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    BSP316PE6327T詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:680mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 680mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

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