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    BSP250 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    BSP250,115詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:帶卷 (TR)

    BSP250,115詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
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    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSP250,115詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
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    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:帶卷 (TR)

    BSP250,115詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
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    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:Digi-Reel®

    BSP250,135詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
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    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:Digi-Reel®

    BSP250,135詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
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    功率_最大:1.65W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設備封裝:SC-73
    包裝:剪切帶 (CT)

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