

BSP250,115詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP250,115詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP250,115詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP250,115詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:Digi-Reel®
BSP250,135詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:Digi-Reel®
BSP250,135詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:1.65W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 250V 5% NP0 1206
- 圓形 - 配件 LEMO 1206(3216 公制) CAP F.PLUG CDG COVER
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
- 存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
- 配件 OKI/Metcal 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
- PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 5.0V OD SSOP3
- 觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 6800PF 250V 5% NP0 1206
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR .022UH 450MA 1210 10%
- 存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
- 觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 100PF 630V 5% NP0 1206
- 配件 OKI/Metcal 1206(3216 公制) KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
- PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 IC RESET CMOS 2.5V 5SSOP
- 無源 - 電感器,線圈,扼流圈 EPCOS Inc 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 KIT INDUCTOR 1210-A SERIES
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