BSP129E6327T 全國供應商、價格、PDF資料
BSP129E6327T詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:350mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 350mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 108µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:108pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP129E6327T詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:350mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 350mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 108µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:108pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- DIP Grayhill Inc 1206(3216 公制) SWITCH 10POS DIP EXTENDED SEALED
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 100PF 1KV 5% NP0 1206
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 1206(3216 公制) 2C/22 SBC BURGLAR CMX/CMR
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 4700PF 50V 10% X8R 0402
- 晶體 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 16.9344 MHZ 12PF SMD
- 底座安裝電阻器 Ohmite 軸向,盒 RES ALUM HOUSED WW 2.5K OHM 5W
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1206
- DIP Grayhill Inc 1206(3216 公制) SWITCH 12 POS DIP EXTENDED UNSLD
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 100PF 1.5KV 5% NP0 1206
- 晶體 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 16.9344 MHZ 18PF SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 50V 10% X8R 0402
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1206
- 底座安裝電阻器 Ohmite 軸向,盒 RES ALUM HOUSED WW 50 OHM 5W
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 軸向,盒 2C/22 7/9.6 BURGLAR CMX/CMR
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