

BSP123 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP123 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:Digi-Reel®
BSP123 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP123E6327T詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP123E6327T詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 390PF 16V 5% NP0 0603
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 5% X7R 0805
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC GATE EXCL-OR QUAD 2IN 14TSSOP
- 邏輯 -計數(shù)器,除法器 NXP Semiconductors 16-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC SYNC 4BIT BIN COUNTER 16SSOP
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 16-SSOP(0.209",5.30mm 寬) MODULE EVAL BQ20Z90/29330/29412
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 12PF 50V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603(1608 公制) TEMP SENSOR 4POS K,L
- 邏輯 - 變換器 Fairchild Semiconductor 24-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC TRANSCEIVER 8BIT 24TSSOP
- 邏輯 - 緩沖器,驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 NXP Semiconductors 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC BUFF DVR TRI-ST 16BIT 48TSSOP
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 44-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC GAS GAUGE W/IMP TRACK 44TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 120PF 100V 1% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 390PF 100V 10% X7R 0603
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603(1608 公制) TEMP SENSOR 4POS RTD
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