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    IC供應PDF資料非IC供應

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    BSP123 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    BSP123 L6327詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:1.79W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSP123 L6327詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:1.79W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:Digi-Reel®

    BSP123 L6327詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:1.79W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    BSP123E6327T詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:1.79W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSP123E6327T詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:370mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 370mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:1.79W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

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