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BSO612CV詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO612CV詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO612CV G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO612CV G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO612CV G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BRL2012T2R2M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 2.2UH 600MA 20% SMD
BPA14400
配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
D38999/20FJ61SA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
BSO303SP
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
D38999/20MJ19BN
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT SCKT
CMF5532K400FKEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 32.4K OHM 1/2W 1% AXIAL
BRL2012T330M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 33UH 20% 0805 SMD
BPA1440004
配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
ECA50DTAS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD
DMP3098LSD-13
FET - 陣列 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
D38999/20MJ19JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 19POS FLANGE W/SKT
CMF5532K400FKR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 32.4K OHM 1/2W 1% AXIAL
BRL2012T4R7M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 4.7UH 340MA 20% SMD
BPA1440004
配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
BSO615C G
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

BSO612CV 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料