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    IC供應PDF資料非IC供應

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    BSO303P 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    BSO303P詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:2 個 P 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:72.5nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1761pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:P-DSO-8
    包裝:帶卷 (TR)

    BSO303P H詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:2 個 P 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2678pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:PG-DSO-8
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSO303P H詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:2 個 P 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2678pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:PG-DSO-8
    包裝:Digi-Reel®

    BSO303P H詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:2 個 P 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2678pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:PG-DSO-8
    包裝:帶卷 (TR)

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