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BSC0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

BSC0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：Digi-Reel®

BSC0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：帶卷 (TR)

CA3100ER16-10S
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CA3106F20-14SBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5POS INLINE W/SKTS
CA3100E22-14PBF80A176
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS WALL MNT W/PINS
C0805C339K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.3PF 50V 10% NP0 0805
BSC0902NSI
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BTA312B-800B,118
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 800V 12A D2PAK
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CA3100ER16S-1P
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CA3106F20-15PF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 7POS INLINE W/PINS
BTA312B-800C,118
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 800V 12A D2PAK
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陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.3PF 500V 10% NP0 0805
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CA3100ER16S-1SB
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS WALL MNT W/SKTS
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CA3100E22-14PF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS WALL MNT W/PINS

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