BS108 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BS108,126詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：300mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 100mA，2.8V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BS108/01,126詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：300mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 100mA，2.8V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BS108G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V

功率_最大：350mW

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：管件

BS108ZL1G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V

功率_最大：350mW

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

BS108ZL1G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V

功率_最大：350mW

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

• B43508A5107M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 100UF 450V

• C3216X7T2W104K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 450V 10% X7T 1206

• B57211P250M351

  涌入電流限制器 (ICL)    EPCOS Inc    1206（3216 公制）    CURRENT LIMITER INRSH 25 OHM 20%

• BS108,126

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

• BF22160-24B

  燈 - 冷陰極熒光 (CCFL) 和 UV    JKL Components Corp.    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    LAMP CCFL 800V 2.2MM X 160MM

• C0805C225K8RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805

• BMI-S-102

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    0805（2012 公制）    BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE

• BI-UM-1-2

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    0805（2012 公制）    INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY

• C3216X7T2W104M/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 450V 20% X7T 1206

• B57213P309M301

  涌入電流限制器 (ICL)    EPCOS Inc    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    CURRENT LIMITER INRSH 3 OHM 20%

• C0805C225K8RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805

• BF245A

  RF FET    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體     IC AMP RF N-CH 30V TO-92

• BI-UM-1-2

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體     INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY

• BMI-S-105

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體     BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE

• B43508A5127M67

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V