BC849B 全國供應商、價格、PDF資料

BC849B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BC849B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BC849B,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849B,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• C200HG-CPU43-E

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O

• C0805C102K5RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805

• BC849B,235

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

• C1812C221MGRACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 220PF 2KV 20% X7R 1812

• BD45262G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET OD 2.6V 200MS 5SSOP

• C0603C0G1H390J

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201

• BFC238370392

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL

• C200HG-CPU43-ZE

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    徑向    CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O

• C0805C511J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805

• C1812C222J2GACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 2200PF 200V 5% NP0 1812

• BD45271G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET OD 2.7V 100MS 5SSOP

• BFC238370433

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.043UF 2.5KVDC RADIAL

• C0603C0G1H390J

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201

• C0805C511J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805

• C200HG-CPU53-E

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    CPU 15.2K 1184POS I/O