BC638 全國供應商、價格、PDF資料

BC638詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP GP 60V 0.5A TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：500mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：150MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC638詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC638,112詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：830mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：管件

BC638,116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：830mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶卷 (TR)

BC638,126詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：830mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BC638BU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

• C200H-ATTA3

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    I/O LOCK BRACKT 10-SLOT

• BC638,112

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-226-3、TO-92-3 標準主體     TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

• C0603Y222K1RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 2200PF 100V 10% X7R 0603

• BD1406STU

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-225AA，TO-126-3    TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126

• C1362.18.10

  多芯導線    General Cable/Carol Brand    TO-225AA，TO-126-3    CBL 22/2COND 7/30 SPKR GRY 500’

• C0603C0G1E4R7B

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201

• C0805C470J1GACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 47PF 100V 5% NP0 0805

• C200H-ATTA3

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    I/O LOCK BRACKT 10-SLOT

• C1812C102JBGACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 1000PF 630V 5% NP0 1812

• C0603C0G1E4R7CTX

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201

• C1363.46.02

  多芯導線    General Cable/Carol Brand    0201（0603 公制）    2C/12 SPKR WIRE WHT 5000RL

• BD15GA5WEFJ-E2

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    IC REG LDO 1.5V .5A 8HTSOP-J

• C0805C470J1GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 47PF 100V 5% NP0 0805

• C200H-B7A02

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    TERM BLOCK PLC 32POS OUTPUTS

• C1812C102K2GACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 1000PF 200V 10% NP0 1812