B82422H1223K 全國供應商、價格、PDF資料

B82422H1223K詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR 22UH 330MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類型：鐵氧體芯體

電感：22µH

電流：

額定電流：330mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 1 歐姆

不同頻率時的Q值：12 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：21MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

B82422H1223K詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR 22UH 330MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類型：鐵氧體芯體

電感：22µH

電流：

額定電流：330mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 1 歐姆

不同頻率時的Q值：12 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：21MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：Digi-Reel®

B82422H1223K詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR 22UH 330MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類型：鐵氧體芯體

電感：22µH

電流：

額定電流：330mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 1 歐姆

不同頻率時的Q值：12 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：21MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：剪切帶 (CT)

B82422H1223K100詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR 22UH 220MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類型：鐵氧體芯體

電感：22µH

電流：

額定電流：220mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 2.4 歐姆

不同頻率時的Q值：15 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：22MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：剪切帶 (CT)

B82422H1223K100詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR 22UH 220MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類型：鐵氧體芯體

電感：22µH

電流：

額定電流：220mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 2.4 歐姆

不同頻率時的Q值：15 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：22MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• BD46315G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP

• BG 5130R E6327

  RF FET    Infineon Technologies    6-VSSOP，SC-88，SOT-363    MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

• B82422H1103K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 10UH 300MA 1210 10%

• BS-COVER

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    1210（3225 公制）    PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM

• B37940K5010C060

  陶瓷    EPCOS Inc    0805（2012 公制）    CAP CER 1PF 50V NP0 0805

• C320C154K5R5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.15UF 50V 10% RADIAL

• BFC241918203

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL

• B43504F2228M62

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V

• BD46322G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.2V 200MS 5SSOP

• BSD214SN L6327

  FET - 單    Infineon Technologies    6-VSSOP，SC-88，SOT-363    MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363

• B37940K5010C570

  陶瓷    EPCOS Inc    0805（2012 公制）    CAP CER 1PF 50V NP0 0805

• C320C154K5R5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.15UF 50V 10% RADIAL

• BFC241941803

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.018UF 400VDC RADIAL

• B43504F2228M80

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V

• BD46345G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.4V 50MS 5SSOP