B41252B478M 全國供應商、價格、PDF資料

B41252B478M詳細規(guī)格

類別：電容器

描述：4700UF 80V 35X40 SNAP IN

系列：B41252

制造商：EPCOS Inc

電容：

額定電壓：

容差：

壽命0a0溫度：

工作溫度：

特點：

紋波電流：

ESR（等效串聯(lián)電阻）：

阻抗：

安裝類型：

封裝/外殼：

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

引線間隔：

表面貼裝占地面積：

包裝：

• BSS138K

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3

• C0805C395M8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 10V 20% X5R 0805

• B41252B158M

  電容器    EPCOS Inc        1500UF 80V 25.4X30 SNAP IN

• C0805C153J2RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.015UF 200V 5% X7R 0805

• 7-1879685-1

  通孔電阻器    TE Connectivity    軸向    RES 66.5K OHM 1/4W 0.1% AXIAL

• BFC238362182

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 1800PF 2KVDC RADIAL

• BQ294582DRVR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    6-WDFN 裸露焊盤    IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON

• BSS138LT3G

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

• C322C154M5U5CA7301

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL

• C0805C399C5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805

• 7-1879687-0

  通孔電阻器    TE Connectivity    軸向    RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL

• BQ294582DRVT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    6-WDFN 裸露焊盤    IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON

• BFC238362223

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.022UF 2KVDC RADIAL

• BSS138N E6908

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

• C322C220J2G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL