B41252B128M 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

B41252B128M詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：1200UF 80V 25.4X25 SNAP IN

系列：B41252

制造商：EPCOS Inc

電容：

額定電壓：

容差：

壽命0a0溫度：

工作溫度：

特點(diǎn)：

紋波電流：

ESR（等效串聯(lián)電阻）：

阻抗：

安裝類型：

封裝/外殼：

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

引線間隔：

表面貼裝占地面積：

包裝：

• BSS138BK,215

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 60V TO-236AB

• C0805C395K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 6.3V 10% X5R 0805

• C0805C152K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805

• B41252A8338M

  電容器    EPCOS Inc        3300UF 63V 22X50 SNAP IN

• BQ29449DRBT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• BFC238362122

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 1200PF 2KVDC RADIAL

• C322C153M1U5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL

• BSS138BKS,115

  FET - 陣列    NXP Semiconductors    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP

• C0805C395K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 6.3V 10% X5R 0805

• BFC238362152

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 1500PF 2KVDC RADIAL

• BQ294522DRVR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    6-WDFN 裸露焊盤    IC BATT FUEL GAUGE OVP 6SON

• C322C154M5U5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL

• BSS138K

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3

• C0805C395M8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 10V 20% X5R 0805

• B41252B158M

  電容器    EPCOS Inc        1500UF 80V 25.4X30 SNAP IN