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APT10090BLLG 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

APT10090BLLG詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

系列：POWER MOS 7®

制造商：Microsemi Power Products Group

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1969pF @ 25V

功率_最大：298W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247 [B]

包裝：管件

• APTGT50TDU170PG

  IGBT    Microsemi Power Products Group    SP6    IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

• BFC241671105

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 1.1UF 63VDC RADIAL

• B32912A3683M289

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 0.068UF 760VDC RADIAL

• ADS62P25IRGCT

  數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器    Texas Instruments    64-VFQFN 裸露焊盤    IC ADC DUAL 12BIT 125MSPS 64VQFN

• APT10090BFLLG

  FET - 單    Microsemi Power Products Group    TO-247-3    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

• APTGT50TL601G

  IGBT    Microsemi Power Products Group    SP1    POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

• B32912A4103K

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 10NF 10% 440VAC

• BFC241679104

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.91UF 63VDC RADIAL

• B37987F1104K058

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL

• BFC241711604

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.16UF 160VDC RADIAL

• B32912A4103M289

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 10000PF 440VAC RADIAL

• B37987F1104M051

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL

• APTGT750U60D4G

  IGBT    Microsemi Power Products Group    D4    IGBT 600V 1000A 2300W D4

• ADS62P44IRGCT

  數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器    Texas Instruments    64-VFQFN 裸露焊盤    IC ADC 14BIT DUAL 105MSPS 64VQFN

• APT100GN60B2G

  IGBT - 單路    Microsemi Power Products Group    TO-247-3 變式    IGBT 600V 229A 625W TMAX