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2SK3811-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：17700pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：Digi-Reel®

2SK3811-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：17700pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：剪切帶 (CT)

2SK3811-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：17700pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

2SK3812-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：16800pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：Digi-Reel®

2SK3812-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：16800pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

2SK3812-ZP-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 55A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：16800pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：剪切帶 (CT)

2TL11-3D
撥動開關 Honeywell Sensing and Control DO-204AH，DO-35，軸向 SWITCH TOGGLE TL ON-ON DPDT
2SK3793-AZ
FET - 單 Renesas Electronics America TO-220-3 隔離片 MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
2SB07100SL
晶體管(BJT) - 單路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP GP AMP 25VCEO MINI 3P
2SC4271E
晶體管(BJT) - 單路 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation TO-225AA，TO-126-3 TRANS NPN 20V 300MA TO126-3
1SBLK
配件 - 帽蓋 E-Switch TO-225AA，TO-126-3 SWITCH CAP SQ BLK PBH SERIES
3G3AX-NFI27
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-225AA，TO-126-3 INPUT FILTER 15KW 200V
325303-04-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
413589-3
同軸，RF TE Connectivity CONN PLUG BNC BELDEN 8218 CRIMP
2TL1-1B
撥動開關 Honeywell Sensing and Control TL TOGGLE SW 2 POLE 3 POS
2SC4488T-AN
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor SC-71 TRANS NPN BIPO 1A 100V NMP
325303-12-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries SC-71 TERM BARRIER 12CIRC SGL ROW .325
3G3AX-NFI27
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SC-71 INPUT FILTER 15KW 200V
1SE3
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control SC-71 SWITCH SINGLE POLE NORMALLY OPEN
413589-8
同軸，RF TE Connectivity SC-71 CONN PLUG BNC RG179,187 CRIMP AU
2TL1-31K
撥動開關 Honeywell Sensing and Control SC-71 SWITCH TOGGLE ON-ON DPDT

2SK381 全國供應商、價格、PDF資料