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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    2SK271 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    2SK2713詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:450V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 2.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 10V
    功率_最大:30W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3 整包
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FN
    包裝:散裝

    2SK2715TL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 歐姆 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 10V
    功率_最大:20W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:CPT3
    包裝:Digi-Reel®

    2SK2715TL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 歐姆 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 10V
    功率_最大:20W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:CPT3
    包裝:剪切帶 (CT)

    2SK2715TL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 歐姆 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 10V
    功率_最大:20W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:CPT3
    包裝:帶卷 (TR)

    2SK2719詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:900V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.3 歐姆 @ 1.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
    功率_最大:125W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-3P(N)
    包裝:管件

    2SK2719(F)詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:900V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.3 歐姆 @ 1.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
    功率_最大:125W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-3P(N)
    包裝:管件

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