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    2SJ20 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    2SJ200-Y(F)詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:180V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 30V
    功率_最大:120W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
    供應商設備封裝:TO-3P(N)
    包裝:散裝

    2SJ201-Y(F)詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 30V
    功率_最大:150W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-3PL
    供應商設備封裝:TO-3P(L)
    包裝:散裝

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