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    2SD1949T106Q 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    2SD1949T106Q詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 15mA,150mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 10mA,3V
    功率_最大:200mW
    頻率_轉換:250MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應商設備封裝:UMT3
    包裝:帶卷 (TR)

    2SD1949T106Q詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 15mA,150mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 10mA,3V
    功率_最大:200mW
    頻率_轉換:250MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應商設備封裝:UMT3
    包裝:剪切帶 (CT)

    2SD1949T106Q詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 15mA,150mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 10mA,3V
    功率_最大:200mW
    頻率_轉換:250MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應商設備封裝:UMT3
    包裝:Digi-Reel®

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