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    2SB1709TL 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    2SB1709TL詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 25mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 200mA,2V
    功率_最大:500mW
    頻率_轉換:400MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:TSMT3
    包裝:剪切帶 (CT)

    2SB1709TL詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 25mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 200mA,2V
    功率_最大:500mW
    頻率_轉換:400MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:TSMT3
    包裝:Digi-Reel®

    2SB1709TL詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 25mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 200mA,2V
    功率_最大:500mW
    頻率_轉換:400MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:TSMT3
    包裝:帶卷 (TR)

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